晶体管

These parts are at end of life and should not be used in new designs.
 

Broadcom 具有广泛的硅双极和 GaAs FET 晶体管组合。

GaAs FET 射频晶体管由于具有优异的低噪声系数和增强线性度,是一级或二级基站 LNA 的理想选择。

Broadcom 的双极 RF 晶体管具有高性能,针对低电压操作的最大 FT 实现优化,使其成为无线市场上电池充电应用的理想选择。

硅双极

These parts are at end of life and should not be used in new designs. 高性能硅晶体管,实现低电流和低电压的优化。

GaAs FET

These parts are at end of life and should not be used in new designs. 这些 GaAs FET 产品采用 PHEMT 技术,专用于主要要求要低噪声的无线系统。