晶体管

Broadcom 具有广泛的硅双极和 GaAs FET 晶体管组合。

GaAs FET 射频晶体管由于具有优异的低噪声系数和增强线性度,是一级或二级基站 LNA 的理想选择。

Broadcom 的双极 RF 晶体管具有高性能,针对低电压操作的最大 FT 实现优化,使其成为无线市场上电池充电应用的理想选择。

硅双极

高性能硅晶体管,实现低电流和低电压的优化。

GaAs FET

这些 GaAs FET 产品采用 PHEMT 技术,专用于主要要求要低噪声的无线系统。